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低溫SQUID放大器件
5 mm×5 mm的芯片分成 2.5 mm×5 mm兩部分，左邊為SQA11TES和SQB11TES設(shè)計(jì)，右邊為SQE11TES 設(shè)計(jì)。每個(gè)2.5 mm×5 mm設(shè)計(jì)包括 1×4 路 dc-SQUID 電流放大器，TES 串聯(lián)連接，通過“+R”和“-R”Pad 引入 TES 偏置信號(hào)?！?IN”和“-IN”Pad 用于和 TES 探測(cè)器連接，“+V”、“-V”、“+F”以及“-F”Pad 用于每一路 dc-SQUID 電流放大器偏置輸出和反饋。
- 上一條：沒有了
- 下一條：磁強(qiáng)計(jì)
產(chǎn)品詳情
參數(shù) | 數(shù)值 | |||
芯片尺寸 | 2.5 mm×5.0 mm | |||
Input Pad 尺寸 | 500 μm×475 μm Nb film | |||
SQUID 偏置和反饋 Pad 尺寸 | 300 μm×200 μm Nb film | |||
dc-SQUID 構(gòu)型 | 一階梯度/二階梯度 | |||
SQUID Loop inductance | 110 pH | |||
TES 偏置電阻 | 250 μΩ | |||
加熱電阻 | 100 Ω | |||
工作溫度 | 0~4.2 K | |||
dc-SQUID 電流放大器 (T=4.2K) | ||||
器件名稱 | SQA11TES | SQB11TES | SQE11TES | 單位 |
臨界電流(2Ic) | 18 | 18 | 18 | μA |
去回滯電阻(Rn/2) | 2 | 2 | 2 | Ω |
屏蔽參數(shù) ql | 1.1 | 1.1 | 1.1 | |
去回滯參數(shù) qc | 0.35 | 0.35 | 0.35 | |
電壓調(diào)制幅值 | 20 | 20 | 20 | |
磁通電壓轉(zhuǎn)換系數(shù) V? | 80 | 80 | 80 | μV/Φ0 |
反饋互感(1/Mf) | 9 | 8.5 | 45 | μA/Φ0 |
輸入互感(1/Min ) | 9 | 8.5 | 9.5 | μA/Φ0 |
調(diào)諧電感(nH) | 30 | 30 | 30 | nH |
磁通噪聲( | 2 | 2 | 2 | μΦ0\√Hz |
Φ0\√Hz) (@1kHz)相關(guān)產(chǎn)品
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